MOSFET களின் மூன்று முக்கிய பாத்திரங்கள்

MOSFET பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் மூன்று முக்கிய பாத்திரங்கள் பெருக்க சுற்றுகள், நிலையான மின்னோட்ட வெளியீடு மற்றும் மாறுதல் கடத்தல்.

1, பெருக்க சுற்று

MOSFET ஆனது அதிக உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு, குறைந்த சத்தம் மற்றும் பிற குணாதிசயங்களைக் கொண்டுள்ளது, எனவே, இது பொதுவாக தேர்வின் பொதுவான முடிவின் உள்ளீடு மற்றும் வெளியீட்டு சுற்றுகளின் படி, டிரான்சிஸ்டரைப் போலவே, தற்போதைய உள்ளீட்டு நிலையின் பல-நிலை பெருக்கமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. வெவ்வேறு, டிஸ்சார்ஜ் சர்க்யூட்டின் மூன்று நிலைகளாக பிரிக்கலாம்MOSFET, முறையே, பொதுவான ஆதாரம், பொது கசிவு மற்றும் பொதுவான வாயில். பின்வரும் படம் ஒரு MOSFET பொது மூல பெருக்க சுற்று காட்டுகிறது, இதில் Rg என்பது கேட் மின்தடையம், ரூ மின்னழுத்த வீழ்ச்சி வாயிலில் சேர்க்கப்படுகிறது; Rd என்பது வடிகால் மின்தடையாகும், வடிகால் மின்னோட்டம் வடிகால் மின்னழுத்தமாக மாற்றப்படுகிறது, இது பெருக்க பெருக்கி Au ஐ பாதிக்கிறது; ரூ என்பது மூல மின்தடையம், வாயிலுக்கு ஒரு சார்பு மின்னழுத்தத்தை வழங்குகிறது; C3 என்பது பைபாஸ் மின்தேக்கியாகும், இது ஏசி சிக்னலை ரூ.

2, தற்போதைய மூல சுற்று

நிலையான மின்னோட்ட மூலமானது அளவியல் சோதனையில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, கீழே உள்ள படத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, இது முக்கியமாக உருவாக்கப்படுகிறதுMOSFETநிலையான மின்னோட்ட மூல சுற்று, இது ஒரு காந்த-எலக்ட்ரிக் மீட்டர் டியூனிங் அளவிலான செயல்முறையாக பயன்படுத்தப்படலாம். MOSFET ஒரு மின்னழுத்த வகை கட்டுப்பாட்டு சாதனம் என்பதால், அதன் கேட் கிட்டத்தட்ட மின்னோட்டத்தை எடுக்கவில்லை, உள்ளீடு மின்மறுப்பு மிக அதிகமாக உள்ளது. ஒரு பெரிய நிலையான மின்னோட்ட வெளியீடு துல்லியத்தை மேம்படுத்த விரும்பினால், விரும்பிய விளைவைப் பெற குறிப்பு மூல மற்றும் ஒப்பீட்டாளரின் கலவையைப் பயன்படுத்தலாம்.

3, மாறுதல் சுற்று

MOSFET இன் மிக முக்கியமான பங்கு மாறுதல் பாத்திரமாகும். மாறுதல், பல்வேறு மின்னணு சுமை கட்டுப்பாடு, மாறுதல் மின்சாரம் வழங்கல் மாறுதல், முதலியனஎன்எம்ஓஎஸ், Vgs என்பது ஒரு குறிப்பிட்ட மதிப்பை விட அதிகமாக உள்ளது, இது 4V அல்லது 10V இன் கேட் மின்னழுத்தம் இருக்கும் வரை, ஆதார அடிப்படையிலான, அதாவது லோ-எண்ட் டிரைவ் என்று அழைக்கப்படும் வழக்கில் பொருந்தும். மறுபுறம், PMOS க்கு, ஒரு குறிப்பிட்ட மதிப்பை விட குறைவான Vgs நடத்தும், இது VCCக்கு ஆதாரமாக இருக்கும் போது, ​​அதாவது உயர் எண்ட் டிரைவிற்கு பொருந்தும். PMOS ஐ உயர்நிலை இயக்கியாக எளிதாகப் பயன்படுத்த முடியும் என்றாலும், உயர் எதிர்ப்பு, அதிக விலை மற்றும் சில மாற்று வகைகளின் காரணமாக NMOS பொதுவாக உயர்நிலை இயக்கிகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

மேலே குறிப்பிட்டுள்ள மூன்று முக்கிய பாத்திரங்களுக்கு கூடுதலாக, MOSFET கள் மின்னழுத்த-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட மின்தடையங்களை உணர மாறக்கூடிய மின்தடையங்களாகவும் பயன்படுத்தப்படலாம், மேலும் பல பயன்பாடுகளும் உள்ளன.