மாறுதல் கூறுகளாக, MOSFET மற்றும் IGBT பெரும்பாலும் மின்னணு சுற்றுகளில் தோன்றும். அவை தோற்றத்திலும் சிறப்பியல்பு அளவுருக்களிலும் ஒத்தவை. சில சுற்றுகள் ஏன் MOSFET ஐப் பயன்படுத்த வேண்டும் என்று பலர் ஆச்சரியப்படுவார்கள் என்று நான் நம்புகிறேன். IGBT?
அவர்களுக்கு இடையே என்ன வித்தியாசம்? அடுத்து,ஒலுகேஉங்கள் கேள்விகளுக்கு பதிலளிக்கும்!
அ என்பது என்னMOSFET?
MOSFET, முழு சீனப் பெயர் உலோக-ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர். இந்த ஃபீல்ட் எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டரின் கேட் ஒரு இன்சுலேடிங் லேயரால் தனிமைப்படுத்தப்பட்டிருப்பதால், இது இன்சுலேட்டட் கேட் ஃபீல்ட் எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர் என்றும் அழைக்கப்படுகிறது. MOSFET ஐ இரண்டு வகைகளாகப் பிரிக்கலாம்: "N-வகை" மற்றும் "P-வகை" அதன் "சேனலின்" (பணிபுரியும் கேரியர்) துருவமுனைப்பின்படி, பொதுவாக N MOSFET மற்றும் P MOSFET என்றும் அழைக்கப்படுகிறது.
MOSFET க்கு அதன் சொந்த ஒட்டுண்ணி டையோடு உள்ளது, இது VDD அதிக மின்னழுத்தத்தில் இருக்கும்போது MOSFET எரிவதைத் தடுக்கப் பயன்படுகிறது. அதிக மின்னழுத்தம் MOSFET க்கு சேதத்தை ஏற்படுத்தும் முன், டையோடு முதலில் உடைந்து பெரிய மின்னோட்டத்தை தரையில் செலுத்துகிறது, இதனால் MOSFET எரிக்கப்படுவதைத் தடுக்கிறது.
IGBT என்றால் என்ன?
IGBT (இன்சுலேட்டட் கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்) என்பது டிரான்சிஸ்டர் மற்றும் MOSFET ஆகியவற்றைக் கொண்ட ஒரு கலவை குறைக்கடத்தி சாதனமாகும்.
IGBT இன் சுற்று சின்னங்கள் இன்னும் ஒருங்கிணைக்கப்படவில்லை. திட்ட வரைபடத்தை வரையும்போது, ட்ரையோட் மற்றும் MOSFET குறியீடுகள் பொதுவாக கடன் வாங்கப்படுகின்றன. இந்த நேரத்தில், திட்ட வரைபடத்தில் குறிக்கப்பட்ட மாதிரியிலிருந்து இது IGBT அல்லது MOSFET என்பதை நீங்கள் தீர்மானிக்கலாம்.
அதே நேரத்தில், IGBT க்கு உடல் டையோடு உள்ளதா என்பதையும் நீங்கள் கவனிக்க வேண்டும். படத்தில் குறிக்கப்படவில்லை என்றால், அது இல்லை என்று அர்த்தம் இல்லை. அதிகாரப்பூர்வ தரவு வேறுவிதமாகக் கூறாவிட்டால், இந்த டையோடு உள்ளது. IGBTயின் உள்ளே இருக்கும் உடல் டையோடு ஒட்டுண்ணி அல்ல, ஆனால் IGBTயின் பலவீனமான தலைகீழ் தாங்கும் மின்னழுத்தத்தைப் பாதுகாக்க சிறப்பாக அமைக்கப்பட்டுள்ளது. இது FWD (ஃப்ரீவீலிங் டையோடு) என்றும் அழைக்கப்படுகிறது.
இரண்டின் உள் அமைப்பு வேறு வேறு
MOSFET இன் மூன்று துருவங்கள் மூல (S), வடிகால் (D) மற்றும் கேட் (G) ஆகும்.
IGBT இன் மூன்று துருவங்கள் சேகரிப்பான் (C), உமிழ்ப்பான் (E) மற்றும் கேட் (G).
MOSFET இன் வடிகால் கூடுதல் அடுக்கைச் சேர்ப்பதன் மூலம் ஒரு IGBT கட்டமைக்கப்படுகிறது. அவற்றின் உள் அமைப்பு பின்வருமாறு:
இரண்டின் பயன்பாட்டுப் புலங்கள் வேறுபட்டவை
MOSFET மற்றும் IGBT இன் உள் கட்டமைப்புகள் வேறுபட்டவை, இது அவற்றின் பயன்பாட்டு புலங்களை தீர்மானிக்கிறது.
MOSFET இன் கட்டமைப்பின் காரணமாக, இது வழக்கமாக ஒரு பெரிய மின்னோட்டத்தை அடைய முடியும், இது KA ஐ அடையலாம், ஆனால் முன்நிபந்தனை மின்னழுத்தம் தாங்கும் திறன் IGBT போல வலுவாக இல்லை. அதன் முக்கிய பயன்பாட்டு பகுதிகள் மின்வழங்கல், பேலஸ்ட்கள், உயர் அதிர்வெண் தூண்டல் வெப்பமாக்கல், உயர் அதிர்வெண் இன்வெர்ட்டர் வெல்டிங் இயந்திரங்கள், தகவல் தொடர்பு மின்சாரம் மற்றும் பிற உயர் அதிர்வெண் மின் விநியோக துறைகள்.
IGBT அதிக சக்தி, மின்னோட்டம் மற்றும் மின்னழுத்தத்தை உருவாக்க முடியும், ஆனால் அதிர்வெண் மிக அதிகமாக இல்லை. தற்போது, IGBTயின் கடின மாறுதல் வேகம் 100KHZ ஐ அடையலாம். IGBT வெல்டிங் இயந்திரங்கள், இன்வெர்ட்டர்கள், அதிர்வெண் மாற்றிகள், எலக்ட்ரோபிளேட்டிங் எலக்ட்ரோலைடிக் பவர் சப்ளைகள், மீயொலி தூண்டல் வெப்பமாக்கல் மற்றும் பிற துறைகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
MOSFET மற்றும் IGBT இன் முக்கிய அம்சங்கள்
MOSFET ஆனது அதிக உள்ளீடு மின்மறுப்பு, வேகமான மாறுதல் வேகம், நல்ல வெப்ப நிலைத்தன்மை, மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு மின்னோட்டம் போன்றவற்றின் சிறப்பியல்புகளைக் கொண்டுள்ளது. சுற்றுவட்டத்தில், இது பெருக்கி, மின்னணு சுவிட்ச் மற்றும் பிற நோக்கங்களுக்காகப் பயன்படுத்தப்படலாம்.
ஒரு புதிய வகை எலக்ட்ரானிக் செமிகண்டக்டர் சாதனமாக, IGBT ஆனது அதிக உள்ளீடு மின்மறுப்பு, குறைந்த மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு மின் நுகர்வு, எளிய கட்டுப்பாட்டு சுற்று, உயர் மின்னழுத்த எதிர்ப்பு மற்றும் பெரிய மின்னோட்ட சகிப்புத்தன்மை போன்ற பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் இது பல்வேறு மின்னணு சுற்றுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
IGBT இன் சிறந்த சமமான சுற்று கீழே உள்ள படத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளது. IGBT என்பது MOSFET மற்றும் டிரான்சிஸ்டரின் கலவையாகும். MOSFET ஆனது உயர் எதிர்ப்புத் திறனைக் கொண்டுள்ளது, ஆனால் IGBT இந்தக் குறைபாட்டைப் போக்குகிறது. IGBT இன்னும் உயர் மின்னழுத்தத்தில் குறைந்த எதிர்ப்பைக் கொண்டுள்ளது. .
பொதுவாக, MOSFET இன் நன்மை என்னவென்றால், அது நல்ல உயர் அதிர்வெண் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் நூற்றுக்கணக்கான kHz மற்றும் MHz வரையிலான அதிர்வெண்ணில் செயல்பட முடியும். குறைபாடு என்னவென்றால், அதிக மின்னழுத்தம் மற்றும் உயர் மின்னோட்ட சூழ்நிலைகளில் ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் பெரியது மற்றும் மின் நுகர்வு பெரியது. IGBT குறைந்த அதிர்வெண் மற்றும் அதிக சக்தி சூழ்நிலைகளில் சிறிய ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மற்றும் உயர் தாங்கும் மின்னழுத்தத்துடன் சிறப்பாக செயல்படுகிறது.
MOSFET அல்லது IGBT ஐ தேர்வு செய்யவும்
சர்க்யூட்டில், MOSFET ஐ பவர் ஸ்விட்ச் ட்யூப்பாக தேர்வு செய்வதா அல்லது IGBT ஐ தேர்வு செய்வதா என்பது பொறியாளர்கள் அடிக்கடி சந்திக்கும் கேள்வி. கணினியின் மின்னழுத்தம், மின்னோட்டம் மற்றும் மாறுதல் சக்தி போன்ற காரணிகளைக் கருத்தில் கொண்டால், பின்வரும் புள்ளிகளை சுருக்கமாகக் கூறலாம்:
மக்கள் அடிக்கடி கேட்கிறார்கள்: "MOSFET அல்லது IGBT சிறந்ததா?" உண்மையில், இரண்டுக்கும் இடையே நல்லது கெட்டது என்ற வித்தியாசம் இல்லை. மிக முக்கியமான விஷயம் அதன் உண்மையான பயன்பாட்டைப் பார்க்க வேண்டும்.
MOSFET மற்றும் IGBT ஆகியவற்றுக்கு இடையேயான வித்தியாசம் குறித்து உங்களிடம் இன்னும் கேள்விகள் இருந்தால், விவரங்களுக்கு Olukey ஐத் தொடர்புகொள்ளலாம்.
Olukey முக்கியமாக WINSOK நடுத்தர மற்றும் குறைந்த மின்னழுத்த MOSFET தயாரிப்புகளை விநியோகிக்கிறது. இராணுவத் தொழில், LED/LCD ஓட்டுனர் பலகைகள், மோட்டார் ஓட்டுனர் பலகைகள், வேகமாக சார்ஜ் செய்தல், மின்னணு சிகரெட்டுகள், LCD திரைகள், மின்சாரம், சிறிய வீட்டு உபயோகப் பொருட்கள், மருத்துவப் பொருட்கள் மற்றும் புளூடூத் தயாரிப்புகளில் தயாரிப்புகள் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. மின்னணு அளவுகள், வாகன மின்னணுவியல், நெட்வொர்க் தயாரிப்புகள், வீட்டு உபயோகப் பொருட்கள், கணினி சாதனங்கள் மற்றும் பல்வேறு டிஜிட்டல் தயாரிப்புகள்.
இடுகை நேரம்: டிசம்பர்-18-2023
