PMOSFET என்றால் என்ன, உங்களுக்குத் தெரியுமா?

I. அடிப்படை கட்டமைப்பு மற்றும் வேலை கொள்கை

1. அடிப்படை கட்டமைப்பு

PMOSFET களில் n-வகை அடி மூலக்கூறுகள் மற்றும் p-சேனல்கள் உள்ளன, மேலும் அவற்றின் அமைப்பு முக்கியமாக ஒரு கேட் (G), ஒரு மூல (S) மற்றும் ஒரு வடிகால் (D) ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது. n-வகை சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறில், இரண்டு P+ பகுதிகள் முறையே ஆதாரமாகவும் வடிகால்களாகவும் உள்ளன, மேலும் அவை p-சேனல் மூலம் ஒன்றோடொன்று இணைக்கப்பட்டுள்ளன. கேட் சேனலுக்கு மேலே அமைந்துள்ளது மற்றும் ஒரு உலோக ஆக்சைடு இன்சுலேடிங் லேயர் மூலம் சேனலில் இருந்து தனிமைப்படுத்தப்படுகிறது.

2. செயல்பாட்டின் கோட்பாடுகள்

PMOSFETகள் NMOSFETகளைப் போலவே செயல்படுகின்றன, ஆனால் எதிர் வகை கேரியர்களுடன். PMOSFET இல், முக்கிய கேரியர்கள் துளைகள். மூலத்தைப் பொறுத்து கேட் மீது எதிர்மறை மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்படும்போது, ​​கேட்டின் கீழ் உள்ள n-வகை சிலிக்கானின் மேற்பரப்பில் p-வகை தலைகீழ் அடுக்கு உருவாகிறது, இது மூலத்தையும் வடிகையும் இணைக்கும் அகழியாக செயல்படுகிறது. கேட் மின்னழுத்தத்தை மாற்றுவது சேனலில் உள்ள துளைகளின் அடர்த்தியை மாற்றுகிறது, இதன் மூலம் சேனலின் கடத்துத்திறனைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. கேட் மின்னழுத்தம் போதுமான அளவு குறைவாக இருக்கும்போது, ​​சேனலில் உள்ள துளைகளின் அடர்த்தியானது மூலத்திற்கும் வடிகால்களுக்கும் இடையே கடத்தலை அனுமதிக்கும் அளவுக்கு அதிகமான அளவை அடைகிறது; மாறாக, சேனல் துண்டிக்கப்படுகிறது.

II. பண்புகள் மற்றும் பயன்பாடுகள்

1. பண்புகள்

குறைந்த இயக்கம்: பி-சேனல் MOS டிரான்சிஸ்டர்கள் ஒப்பீட்டளவில் குறைந்த ஓட்டை இயக்கம் கொண்டவை, எனவே PMOS டிரான்சிஸ்டர்களின் டிரான்ஸ்கண்டக்டன்ஸ் அதே வடிவியல் மற்றும் இயக்க மின்னழுத்தத்தின் கீழ் NMOS டிரான்சிஸ்டர்களைக் காட்டிலும் சிறியதாக இருக்கும்.

குறைந்த வேகம், குறைந்த அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது: குறைந்த இயக்கம் காரணமாக, PMOS ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் குறைந்த வேகம், குறைந்த அதிர்வெண் பகுதிகளில் பயன்பாடுகளுக்கு மிகவும் பொருத்தமானவை.

கடத்தல் நிலைமைகள்: PMOSFETகளின் கடத்தல் நிலைகள் NMOSFET களுக்கு நேர்மாறாக உள்ளன, மூல மின்னழுத்தத்தை விட குறைவான கேட் மின்னழுத்தம் தேவைப்படுகிறது.

 

1. விண்ணப்பங்கள்

உயர் பக்க மாறுதல்: PMOSFETகள் பொதுவாக உயர் பக்க மாறுதல் உள்ளமைவுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, அங்கு மூலமானது நேர்மறை விநியோகத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது மற்றும் வடிகால் சுமையின் நேர்மறை முனையுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது. PMOSFET நடத்தும் போது, ​​அது சுமையின் நேர்மறை முடிவை நேர்மறை விநியோகத்துடன் இணைக்கிறது, சுமை வழியாக மின்னோட்டத்தை அனுமதிக்கிறது. மின் மேலாண்மை மற்றும் மோட்டார் இயக்கிகள் போன்ற பகுதிகளில் இந்த கட்டமைப்பு மிகவும் பொதுவானது.

தலைகீழ் பாதுகாப்பு சுற்றுகள்: தலைகீழ் மின்சாரம் அல்லது சுமை மின்னோட்டம் பின்னடைவு காரணமாக சுற்றுக்கு சேதம் ஏற்படுவதைத் தடுக்க, தலைகீழ் பாதுகாப்பு சுற்றுகளிலும் PMOSFET களைப் பயன்படுத்தலாம்.

III. வடிவமைப்பு மற்றும் பரிசீலனைகள்

1. கேட் வோல்டேஜ் கண்ட்ரோல்

PMOSFET சுற்றுகளை வடிவமைக்கும் போது, ​​சரியான செயல்பாட்டை உறுதி செய்ய கேட் மின்னழுத்தத்தின் துல்லியமான கட்டுப்பாடு தேவைப்படுகிறது. PMOSFET களின் கடத்துகை நிலைகள் NMOSFET களுக்கு நேர்மாறாக இருப்பதால், கேட் மின்னழுத்தத்தின் துருவமுனைப்பு மற்றும் அளவு குறித்து கவனம் செலுத்தப்பட வேண்டும்.

2. சுமை இணைப்பு

சுமைகளை இணைக்கும் போது, ​​PMOSFET வழியாக மின்னோட்டம் சரியாகப் பாய்வதை உறுதிசெய்ய, சுமையின் துருவமுனைப்பு மற்றும் PMOSFET இன் செயல்திறன், மின்னழுத்த வீழ்ச்சி, மின் நுகர்வு போன்றவற்றின் சுமையின் தாக்கம் ஆகியவற்றைக் கவனத்தில் கொள்ள வேண்டும். , என்பதையும் கருத்தில் கொள்ள வேண்டும்.

3. வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை

PMOSFET களின் செயல்திறன் வெப்பநிலையால் பெரிதும் பாதிக்கப்படுகிறது, எனவே சுற்றுகளை வடிவமைக்கும் போது PMOSFET களின் செயல்திறனில் வெப்பநிலையின் தாக்கம் கணக்கில் எடுத்துக்கொள்ளப்பட வேண்டும், மேலும் சுற்றுகளின் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மையை மேம்படுத்த தொடர்புடைய நடவடிக்கைகள் எடுக்கப்பட வேண்டும்.

4. பாதுகாப்பு சுற்றுகள்

செயல்பாட்டின் போது அதிக மின்னோட்டம் மற்றும் அதிக மின்னழுத்தத்தால் PMOSFET கள் சேதமடைவதைத் தடுக்க, மின்னோட்ட பாதுகாப்பு மற்றும் அதிக மின்னழுத்த பாதுகாப்பு போன்ற பாதுகாப்பு சுற்றுகளை சர்க்யூட்டில் நிறுவ வேண்டும். இந்த பாதுகாப்பு சுற்றுகள் PMOSFET ஐ திறம்பட பாதுகாக்கும் மற்றும் அதன் சேவை வாழ்க்கையை நீட்டிக்கும்.

 

சுருக்கமாக, PMOSFET என்பது சிறப்பு அமைப்பு மற்றும் செயல்பாட்டுக் கொள்கையுடன் கூடிய ஒரு வகை MOSFET ஆகும். அதன் குறைந்த இயக்கம் மற்றும் குறைந்த வேகம், குறைந்த அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கான பொருத்தம் ஆகியவை குறிப்பிட்ட துறைகளில் பரவலாகப் பொருந்தும். PMOSFET சுற்றுகளை வடிவமைக்கும் போது, ​​கேட் மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாடு, சுமை இணைப்புகள், வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை மற்றும் சுற்றுகளின் நம்பகத்தன்மையை உறுதி செய்ய கவனம் செலுத்தப்பட வேண்டும்.