MOSFET இன் நான்கு பகுதிகள் யாவை?

 

N-சேனல் மேம்பாடு MOSFET இன் நான்கு பகுதிகள்

(1) மாறி எதிர்ப்புப் பகுதி (நிறைவுறாத பகுதி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது)

Ucs" Ucs (th) (டர்ன்-ஆன் வோல்டேஜ்), uDs" UGs-Ucs (th), சேனல் ஆன் செய்யப்பட்டுள்ள படத்தில் உள்ள ப்ரீகிளாம்ப் செய்யப்பட்ட ட்ரேஸின் இடதுபுறத்தில் உள்ள பகுதி. இந்த பகுதியில் UD களின் மதிப்பு சிறியதாக உள்ளது, மேலும் சேனல் எதிர்ப்பானது UG களால் மட்டுமே கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது. uGகள் உறுதியாக இருக்கும் போது, ​​ip மற்றும் uDs ஒரு நேரியல் உறவாக இருக்கும் போது, ​​பகுதி நேர்கோடுகளின் தொகுப்பாக தோராயமாக மதிப்பிடப்படுகிறது. இந்த நேரத்தில், ஒரு மின்னழுத்த UGS க்கு சமமான இடையே புல விளைவு குழாய் D, S

மின்னழுத்தம் UGS மாறி எதிர்ப்பால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது.

(2) நிலையான தற்போதைய பகுதி (நிறைவு பகுதி, பெருக்கப் பகுதி, செயலில் உள்ள பகுதி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது)

Ucs ≥ Ucs (h) மற்றும் Ubs ≥ UcsUssth), ப்ரீ-பிஞ்ச் ஆஃப் டிராக்கின் வலது பக்கத்தின் உருவத்திற்கு, ஆனால் uGs இருக்க வேண்டிய பகுதியில், பிராந்தியத்தில், ib கிட்டத்தட்ட இல்லை UDகளுடன் மாற்றம் என்பது நிலையான-தற்போதைய பண்புகளாகும். i என்பது UG களால் மட்டுமே கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, பின்னர் MOSFETD, S தற்போதைய மூலத்தின் மின்னழுத்த uGs கட்டுப்பாட்டிற்குச் சமம். MOSFET ஆனது பெருக்க சுற்றுகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, பொதுவாக MOSFET D இன் வேலையில், S மின்னழுத்த uGs கட்டுப்பாட்டு மின்னோட்ட மூலத்திற்கு சமம். MOSFET பெருக்க சுற்றுகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, பொதுவாக பிராந்தியத்தில் வேலை செய்கிறது, எனவே இது பெருக்க பகுதி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது.

(3) கிளிப்-ஆஃப் பகுதி (கட்-ஆஃப் பகுதி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது)

கிளிப்-ஆஃப் பகுதி (கட்-ஆஃப் ஏரியா என்றும் அழைக்கப்படுகிறது) பிராந்தியத்தின் கிடைமட்ட அச்சுக்கு அருகில் உள்ள உருவத்திற்கான ucs "Ues (th) ஐ சந்திக்க, சேனல் அனைத்தும் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, இது முழு கிளிப் ஆஃப் என அறியப்படுகிறது, io = 0 , குழாய் வேலை செய்யாது.

(4) முறிவு மண்டல இடம்

முறிவு பகுதி உருவத்தின் வலது பக்கத்தில் உள்ள பகுதியில் அமைந்துள்ளது. அதிகரித்து வரும் UD களுடன், PN சந்திப்பு மிகவும் தலைகீழ் மின்னழுத்தம் மற்றும் முறிவுக்கு உட்பட்டது, ip கூர்மையாக அதிகரிக்கிறது. முறிவு பகுதியில் செயல்படுவதைத் தவிர்க்க, குழாய் இயக்கப்பட வேண்டும். பரிமாற்ற பண்பு வளைவை வெளியீட்டு பண்பு வளைவிலிருந்து பெறலாம். கண்டுபிடிக்க வரைபடமாகப் பயன்படுத்தப்படும் முறை. எடுத்துக்காட்டாக, Ubs = 6V செங்குத்து கோட்டிற்கான படம் 3 (a) இல், வளைவுடன் இணைக்கப்பட்ட ib-Uss ஆயத்தொலைவுகளில் உள்ள i, Us மதிப்புகளுடன் தொடர்புடைய பல்வேறு வளைவுகளுடன் அதன் குறுக்குவெட்டு, அதாவது பரிமாற்ற பண்பு வளைவைப் பெற.

அளவுருக்கள்MOSFET

DC அளவுருக்கள், AC அளவுருக்கள் மற்றும் வரம்பு அளவுருக்கள் உட்பட MOSFET இன் பல அளவுருக்கள் உள்ளன, ஆனால் பொதுவான பயன்பாட்டில் பின்வரும் முக்கிய அளவுருக்கள் மட்டுமே கவனிக்கப்பட வேண்டும்: நிறைவுற்ற வடிகால்-மூல மின்னோட்டம் IDSS பிஞ்ச்-ஆஃப் வோல்டேஜ் அப், (சந்தி-வகை குழாய்கள் மற்றும் குறைப்பு -வகை இன்சுலேடட்-கேட் குழாய்கள், அல்லது டர்ன்-ஆன் மின்னழுத்தம் UT (வலுவூட்டப்பட்ட-இன்சுலேட்டட்-கேட் குழாய்கள்), டிரான்ஸ்-கண்டக்டன்ஸ் gm, கசிவு-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் BUDS, அதிகபட்ச சிதறிய சக்தி PDSM மற்றும் அதிகபட்ச வடிகால்-மூல மின்னோட்டம் IDSM .

(1) நிறைவுற்ற வடிகால் மின்னோட்டம்

நிறைவுற்ற வடிகால் மின்னோட்டம் IDSS என்பது ஒரு சந்திப்பில் உள்ள வடிகால் மின்னோட்டமாகும்.

(2) கிளிப்-ஆஃப் மின்னழுத்தம்

பிஞ்ச்-ஆஃப் மின்னழுத்தம் UP என்பது ஒரு சந்திப்பு-வகை அல்லது குறைப்பு-வகை இன்சுலேட்டட்-கேட் MOSFET இல் உள்ள கேட் மின்னழுத்தமாகும், இது வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையில் துண்டிக்கப்படுகிறது. N-channel tube UGS க்கு 4-25 இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி ஒரு அடையாள வளைவு, IDSS மற்றும் UP இன் முக்கியத்துவத்தைப் பார்க்க புரிந்து கொள்ள முடியும்.

MOSFET நான்கு பகுதிகள்

(3) மின்னழுத்தத்தை இயக்கவும்

டர்ன்-ஆன் மின்னழுத்தம் UT என்பது வலுவூட்டப்பட்ட இன்சுலேட்டட்-கேட் MOSFET இல் உள்ள கேட் மின்னழுத்தமாகும், இது வடிகால்-மூலத்தை வெறும் கடத்தும் தன்மை கொண்டது.

(4) கடத்தல்

டிரான்ஸ்கண்டக்டன்ஸ் ஜிஎம் என்பது வடிகால் மின்னோட்ட ஐடியில் உள்ள கேட் சோர்ஸ் வோல்டேஜ் யுஜிஎஸ்-ன் கட்டுப்பாட்டுத் திறனாகும், அதாவது, கேட் சோர்ஸ் வோல்டேஜ் யுஜிஎஸ்-ல் வடிகால் மின்னோட்ட ஐடியில் ஏற்படும் மாற்றத்தின் விகிதம். 9m என்பது ஒரு முக்கிய அளவுருவின் பெருக்க திறனை எடைபோடுகிறதுMOSFET.

(5) வடிகால் மூல முறிவு மின்னழுத்தம்

வடிகால் மூல முறிவு மின்னழுத்தம் BUDS என்பது கேட் சோர்ஸ் வோல்டேஜ் UGS ஐக் குறிக்கிறது, MOSFET இயல்பான செயல்பாடு அதிகபட்ச வடிகால் மூல மின்னழுத்தத்தை ஏற்றுக்கொள்ளும். இது ஒரு வரம்பு அளவுரு, MOSFET இயக்க மின்னழுத்தத்தில் சேர்க்கப்பட்டது BUDS ஐ விட குறைவாக இருக்க வேண்டும்.

(6) அதிகபட்ச சக்தி சிதறல்

அதிகபட்ச சக்தி சிதறல் PDSM என்பது வரம்பு அளவுருவாகும்MOSFETஅதிகபட்ச அனுமதிக்கப்பட்ட கசிவு மூல சக்தி சிதறலின் போது செயல்திறன் மோசமடையாது. MOSFET ஐப் பயன்படுத்தும் போது நடைமுறை மின் நுகர்வு PDSM ஐ விட குறைவாக இருக்க வேண்டும் மற்றும் ஒரு குறிப்பிட்ட விளிம்பை விட வேண்டும்.

(7) அதிகபட்ச வடிகால் மின்னோட்டம்

அதிகபட்ச கசிவு மின்னோட்டம் IDSM என்பது மற்றொரு வரம்பு அளவுருவாகும், இது MOSFET இன் இயல்பான செயல்பாட்டைக் குறிக்கிறது, MOSFET இன் இயக்க மின்னோட்டத்தின் வழியாக அனுமதிக்கப்படும் அதிகபட்ச மின்னோட்டத்தின் கசிவு மூலமானது IDSM ஐ விட அதிகமாக இருக்கக்கூடாது.

MOSFET இயக்கக் கொள்கை

MOSFET (N-சேனல் மேம்பாடு MOSFET) இன் இயக்கக் கொள்கையானது, இந்த "தூண்டல் சார்ஜ்" மூலம் உருவாக்கப்பட்ட கடத்தும் சேனலின் நிலையை மாற்ற, பின்னர் நோக்கத்தை அடைவதற்காக, "இண்டக்டிவ் சார்ஜ்" அளவைக் கட்டுப்படுத்த VGS ஐப் பயன்படுத்துவதாகும். வடிகால் மின்னோட்டத்தை கட்டுப்படுத்துதல். வடிகால் மின்னோட்டத்தை கட்டுப்படுத்துவதே இதன் நோக்கம். குழாய்கள் தயாரிப்பில், இன்சுலேடிங் லேயரில் அதிக எண்ணிக்கையிலான நேர்மறை அயனிகளை உருவாக்கும் செயல்முறையின் மூலம், இடைமுகத்தின் மறுபுறத்தில் அதிக எதிர்மறை கட்டணங்களைத் தூண்டலாம், இந்த எதிர்மறை கட்டணங்கள் தூண்டப்படலாம்.

கேட் மின்னழுத்தம் மாறும்போது, ​​சேனலில் தூண்டப்பட்ட கட்டணத்தின் அளவும் மாறுகிறது, கடத்தும் சேனலின் அகலமும் மாறுகிறது, இதனால் கேட் மின்னழுத்தத்துடன் வடிகால் தற்போதைய ஐடி மாறுகிறது.

MOSFET பங்கு

I. MOSFET பெருக்கத்திற்குப் பயன்படுத்தப்படலாம். MOSFET பெருக்கியின் அதிக உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு காரணமாக, மின்னாற்பகுப்பு மின்தேக்கிகளைப் பயன்படுத்தாமல், இணைக்கும் மின்தேக்கி சிறிய கொள்ளளவைக் கொண்டிருக்கலாம்.

இரண்டாவதாக, MOSFET இன் உயர் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்கு மிகவும் பொருத்தமானது. மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்கான பல-நிலை பெருக்கி உள்ளீட்டு கட்டத்தில் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

MOSFET ஒரு மாறி மின்தடையமாக பயன்படுத்தப்படலாம்.

நான்காவதாக, MOSFET ஒரு நிலையான தற்போதைய ஆதாரமாக எளிதாகப் பயன்படுத்தப்படலாம்.

ஐந்தாவது, MOSFET ஒரு மின்னணு சுவிட்சாக பயன்படுத்தப்படலாம்.