சுவிட்சுகளாகப் பயன்படுத்தும்போது MOSFET களுக்கும் ட்ரையோட்களுக்கும் என்ன வித்தியாசம்?

MOSFET மற்றும் ட்ரையோட் ஆகியவை மிகவும் பொதுவான மின்னணு கூறுகள், இவை இரண்டும் மின்னணு சுவிட்சுகளாகப் பயன்படுத்தப்படலாம், ஆனால் பல சந்தர்ப்பங்களில் சுவிட்சுகளின் பயன்பாட்டைப் பரிமாற்றம் செய்ய, பயன்படுத்துவதற்கான சுவிட்சாக,MOSFETமற்றும் ட்ரையோடில் நிறைய ஒற்றுமைகள் உள்ளன, வெவ்வேறு இடங்களும் உள்ளன, எனவே இரண்டையும் எப்படி தேர்வு செய்வது?

 

ட்ரையோடில் NPN வகை மற்றும் PNP வகை உள்ளது. MOSFET ஆனது N-சேனல் மற்றும் P-சேனலையும் கொண்டுள்ளது. MOSFET இன் மூன்று ஊசிகளான கேட் G, வடிகால் D மற்றும் மூல S, மற்றும் ட்ரையோடின் மூன்று பின்கள் அடிப்படை B, சேகரிப்பான் C மற்றும் உமிழ்ப்பான் E ஆகும். MOSFET மற்றும் Triode இடையே உள்ள வேறுபாடுகள் என்ன?

 

 

N-MOSFET மற்றும் NPN ட்ரையோட் மாறுதல் கொள்கையாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன

 

(1) வெவ்வேறு கட்டுப்பாட்டு முறை

ட்ரையோட் என்பது தற்போதைய வகை கட்டுப்பாட்டு கூறுகள், மற்றும் MOSFET என்பது மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு கூறுகள் ஆகும், கட்டுப்பாட்டுப் பக்கத்தின் உள்ளீட்டு மின்னழுத்தத் தேவைகளில் ட்ரையோட் ஒப்பீட்டளவில் குறைவாக உள்ளது, பொதுவாக 0.4V முதல் 0.6V அல்லது அதற்கும் அதிகமாக, அடிப்படை வரம்பை மாற்றுவதன் மூலம் ட்ரையோடை உணர முடியும். தற்போதைய மின்தடையானது அடிப்படை மின்னோட்டத்தை மாற்றும். MOSFET மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, கடத்தலுக்குத் தேவையான மின்னழுத்தம் பொதுவாக 4V முதல் 10V வரை இருக்கும், மேலும் செறிவூட்டல் அடையும் போது, ​​தேவையான மின்னழுத்தம் 6V முதல் 10V வரை இருக்கும். குறைந்த மின்னழுத்த சந்தர்ப்பங்களின் கட்டுப்பாட்டில், ட்ரையோடை ஒரு சுவிட்சாக அல்லது ட்ரையோடை ஒரு பஃபர் கண்ட்ரோல் MOSFET ஆகப் பயன்படுத்துவது, அதாவது மைக்ரோகண்ட்ரோலர்கள், DSP, PowerPC மற்றும் பிற செயலிகள் I/O போர்ட் மின்னழுத்தம் ஒப்பீட்டளவில் குறைவாக உள்ளது, 3.3V அல்லது 2.5V மட்டுமே , பொதுவாக நேரடியாக கட்டுப்படுத்த முடியாதுMOSFET, குறைந்த மின்னழுத்தம், MOSFET பெரிய உள் நுகர்வு கடத்தல் அல்லது உள் எதிர்ப்பு இருக்க முடியாது இந்த வழக்கில், ட்ரையோட் கட்டுப்பாடு பொதுவாக பயன்படுத்தப்படுகிறது.

 

(2) வெவ்வேறு உள்ளீடு மின்மறுப்பு

ட்ரையோடின் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு சிறியது, MOSFET இன் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு பெரியது, சந்திப்பு கொள்ளளவு வேறுபட்டது, ட்ரையோடின் சந்திப்பு கொள்ளளவு MOSFET ஐ விட பெரியது, அதன்படி MOSFET இல் செயல் ட்ரையோடை விட வேகமாக இருக்கும்;MOSFETசிறந்த நிலைத்தன்மையில், பல கடத்தி, சிறிய சத்தம், வெப்ப நிலைத்தன்மை சிறந்தது.

MOSFET இன் உள் எதிர்ப்பு மிகவும் சிறியது, மற்றும் ட்ரையோடின் ஆன்-ஸ்டேட் மின்னழுத்த வீழ்ச்சி கிட்டத்தட்ட நிலையானது, சிறிய தற்போதைய சந்தர்ப்பங்களில், பொதுவாக ட்ரையோடைப் பயன்படுத்தவும், மேலும் உள் எதிர்ப்பு மிகவும் சிறியதாக இருந்தாலும் MOSFET ஐப் பயன்படுத்தவும், ஆனால் மின்னோட்டம் பெரியதாக இருந்தாலும், மின்னழுத்த வீழ்ச்சியும் மிகவும் பெரியது.