MOSFETகள் ஒருங்கிணைந்த மின்சுற்றுகளில் MOSFETகளை இன்சுலேட் செய்கின்றன.குறைக்கடத்தி புலம், பலகை-நிலை சுற்றுகள் மற்றும் IC வடிவமைப்பிலும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. வடிகால் மற்றும் ஆதாரம்MOSFETகள் பரிமாற்றம் செய்யப்படலாம், மேலும் அவை N-வகைப் பகுதியுடன் P-வகை பின்கேட்டில் உருவாக்கப்படுகின்றன. பொதுவாக, இரண்டு மூலங்களும் ஒன்றுக்கொன்று மாறக்கூடியவை, இரண்டும் N-வகைப் பகுதியை உருவாக்குகின்றனபி-வகை பின்கேட். பொதுவாக, இந்த இரண்டு மண்டலங்களும் ஒரே மாதிரியானவை, இந்த இரண்டு பிரிவுகளும் மாறினாலும், சாதனத்தின் செயல்திறன் பாதிக்கப்படாது. எனவே, சாதனம் சமச்சீராக கருதப்படுகிறது.
கொள்கை:
MOSFET வடிகால் மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த இந்த "தூண்டப்பட்ட கட்டணங்கள்" மூலம் உருவாக்கப்பட்ட கடத்தும் சேனலின் நிலையை மாற்ற "தூண்டப்பட்ட கட்டணம்" அளவைக் கட்டுப்படுத்த VGS ஐப் பயன்படுத்துகிறது. MOSFET கள் தயாரிக்கப்படும் போது, சிறப்பு செயல்முறைகள் மூலம் அதிக எண்ணிக்கையிலான நேர்மறை அயனிகள் இன்சுலேடிங் லேயரில் தோன்றும், இதனால் இடைமுகத்தின் மறுபுறத்தில் அதிக எதிர்மறை கட்டணங்களை உணர முடியும், மேலும் உயர்-ஊடுருவக்கூடிய அசுத்தங்களின் N-பகுதி இணைக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த எதிர்மறை கட்டணங்கள், மற்றும் கடத்தும் சேனல் உருவாகிறது, மேலும் VGS 0 ஆக இருந்தாலும் ஒப்பீட்டளவில் பெரிய வடிகால் மின்னோட்டம் ஐடி உருவாக்கப்படுகிறது. கேட் மின்னழுத்தம் மாற்றப்பட்டால், சேனலில் தூண்டப்பட்ட கட்டணத்தின் அளவும் மாறுகிறது, மேலும் அகலம் கடத்தும் சேனல் அதே அளவிற்கு மாறுகிறது. கேட் மின்னழுத்தம் மாறினால், சேனலில் தூண்டப்பட்ட கட்டணத்தின் அளவும் மாறும், மேலும் கடத்தும் சேனலில் அகலமும் மாறும், எனவே கேட் மின்னழுத்தத்துடன் வடிகால் தற்போதைய ஐடியும் மாறும்.
பங்கு:
1. இது பெருக்கி சுற்றுக்கு பயன்படுத்தப்படலாம். MOSFET பெருக்கியின் அதிக உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு காரணமாக, இணைப்பின் கொள்ளளவு சிறியதாக இருக்கலாம் மற்றும் மின்னாற்பகுப்பு மின்தேக்கிகளைப் பயன்படுத்த முடியாது.
உயர் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்கு ஏற்றது. பல-நிலை பெருக்கிகளின் உள்ளீட்டு கட்டத்தில் மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்கு இது பெரும்பாலும் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
3, இது மாறி மின்தடையமாக பயன்படுத்தப்படலாம்.
4, மின்னணு சுவிட்சாகப் பயன்படுத்தலாம்.
MOSFET கள் இப்போது பரந்த அளவிலான பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, இதில் தொலைக்காட்சிகளில் உயர் அதிர்வெண் தலைகள் மற்றும் பவர் சப்ளைகளை மாற்றுகிறது. இப்போதெல்லாம், இருமுனை சாதாரண டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் MOS ஆகியவை இணைந்து IGBT (இன்சுலேட்டட் கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்) உருவாக்கப்படுகின்றன, இது அதிக சக்தி கொண்ட பகுதிகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் MOS ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் குறைந்த மின் நுகர்வு பண்புகளைக் கொண்டுள்ளன, இப்போது CPUகள் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. MOS சுற்றுகள்.
இடுகை நேரம்: ஜூலை-19-2024
