இன்சுலேட்டட் லேயர் கேட் MOSFET களின் அங்கீகாரம்

இன்சுலேஷன் லேயர் கேட் வகை MOSFET மாற்றுப்பெயர்MOSFET (இனிமேல் MOSFET என குறிப்பிடப்படுகிறது), இது கேட் மின்னழுத்தம் மற்றும் மூல வடிகால் நடுவில் சிலிக்கான் டை ஆக்சைட்டின் கேபிள் உறையைக் கொண்டுள்ளது.

MOSFET கூடஎன்-சேனல் மற்றும் பி-சேனல் இரண்டு பிரிவுகள், ஆனால் ஒவ்வொரு வகையும் விரிவாக்கம் மற்றும் ஒளி குறைப்பு வகை இரண்டு என பிரிக்கப்பட்டுள்ளது, இவ்வாறு மொத்தம் நான்கு வகைகள் உள்ளன:என்-சேனல் மேம்பாடு, பி-சேனல் விரிவாக்கம், என்-சேனல் ஒளி குறைதல், பி-சேனல் ஒளி குறைப்பு வகை. ஆனால் கேட் சோர்ஸ் வோல்டேஜ் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும் இடத்தில், வடிகால் மின்னோட்டம் குழாயின் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும். இருப்பினும், கேட் மூல மின்னழுத்தம் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும் இடத்தில், வடிகால் மின்னோட்டம் பூஜ்ஜியமாக இல்லை, ஒளி-நுகர்வு வகை குழாய்கள் என வகைப்படுத்தப்படுகின்றன.
மேம்படுத்தப்பட்ட MOSFET கொள்கை:

கேட் மூலத்தின் நடுவில் வேலை செய்யும் போது மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்தாது, வடிகால் மூல PN சந்திப்பின் நடுப்பகுதி எதிர் திசையில் இருப்பதால், மின்னழுத்தத்துடன் வடிகால் மூலத்தின் நடுவில் இருந்தாலும், கடத்தும் சேனல் இருக்காது. கடத்தும் அகழி மின்சாரம் மூடப்பட்டுள்ளது, அதன்படி வேலை செய்யும் மின்னோட்டத்தை கொண்டிருக்க முடியாது. கேட் மூலத்தின் நடுப்பகுதி மற்றும் ஒரு குறிப்பிட்ட மதிப்புக்கு நேர்மறை திசை மின்னழுத்தம் இருக்கும்போது, ​​​​வடிகால் மூலத்தின் நடுவில் ஒரு கடத்தும் பாதுகாப்பு சேனலை உருவாக்கும், இதனால் இந்த கேட் சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தால் உற்பத்தி செய்யப்படும் கடத்தும் அகழி திறந்த மின்னழுத்தம் VGS என அழைக்கப்படுகிறது, கேட் மூல மின்னழுத்தத்தின் நடுவில் பெரியது, கடத்தும் அகழி அகலமானது, இது அதிக மின்சார ஓட்டத்தை ஏற்படுத்துகிறது.

ஒளி சிதறடிக்கும் MOSFET இன் கொள்கை:

செயல்பாட்டில், கேட் மூலத்தின் நடுவில் எந்த மின்னழுத்தமும் பயன்படுத்தப்படாது, விரிவாக்க வகை MOSFET போலல்லாமல், வடிகால் மூலத்தின் நடுவில் ஒரு கடத்தும் சேனல் உள்ளது, எனவே வடிகால் மூலத்தின் நடுவில் நேர்மறை மின்னழுத்தம் மட்டுமே சேர்க்கப்படுகிறது. வடிகால் மின்னோட்ட ஓட்டத்தில் விளைகிறது. மேலும், மின்னழுத்தத்தின் நேர்மறையான திசையின் நடுவில் உள்ள கேட் ஆதாரம், கடத்தும் சேனல் விரிவாக்கம், மின்னழுத்தத்தின் எதிர் திசையைச் சேர்த்தால், கடத்தும் சேனல் சுருங்குகிறது, மின்சார ஓட்டத்தின் மூலம் சிறியதாக இருக்கும், MOSFET ஒப்பீட்டின் விரிவாக்கத்துடன், கடத்தும் சேனலுக்குள் குறிப்பிட்ட எண்ணிக்கையிலான பகுதிகளின் நேர்மறை மற்றும் எதிர்மறை எண்ணாகவும் இருக்கலாம்.

MOSFET செயல்திறன்:

முதலில், பெரிதாக்க MOSFETகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. MOSFET பெருக்கியின் உள்ளீட்டு எதிர்ப்பு மிகவும் அதிகமாக இருப்பதால், மின்னாற்பகுப்பு மின்தேக்கிகளைப் பயன்படுத்த வேண்டிய அவசியமின்றி வடிகட்டி மின்தேக்கி சிறியதாக இருக்கும்.

இரண்டாவதாக, MOSFET மிக உயர்ந்த உள்ளீடு எதிர்ப்பு என்பது சிறப்பியல்பு மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்கு மிகவும் பொருத்தமானது. சிறப்பியல்பு மின்மறுப்பு மாற்றத்திற்காக பல-நிலை பெருக்கி உள்ளீட்டு கட்டத்தில் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

MOSFET ஐ சரிசெய்யக்கூடிய மின்தடையமாகப் பயன்படுத்தலாம்.

நான்காவதாக, MOSFET ஒரு DC மின் விநியோகமாக வசதியாக இருக்கும்.

V. MOSFET ஒரு மாறுதல் உறுப்பாகப் பயன்படுத்தப்படலாம்.