MOSFETகள் (மெட்டல்-ஆக்சைடு-செமிகண்டக்டர் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்) பெரும்பாலும் முழுமையாகக் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனங்களாகக் கருதப்படுகின்றன. ஏனென்றால், MOSFET இன் இயக்க நிலை (ஆன் அல்லது ஆஃப்) கேட் மின்னழுத்தத்தால் (Vgs) முழுமையாகக் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது மற்றும் இருமுனை டிரான்சிஸ்டரின் (BJT) விஷயத்தில் அடிப்படை மின்னோட்டத்தைச் சார்ந்து இருக்காது.
ஒரு MOSFET இல், கேட் மின்னழுத்தம் Vgs மூலத்திற்கும் வடிகலுக்கும் இடையில் ஒரு கடத்தும் சேனல் உருவாகிறதா என்பதையும், கடத்தும் சேனலின் அகலம் மற்றும் கடத்துத்திறனையும் தீர்மானிக்கிறது. Vgs வரம்பு மின்னழுத்தம் Vt ஐ மீறும் போது, கடத்தும் சேனல் உருவாகிறது மற்றும் MOSFET ஆன்-ஸ்டேட்டில் நுழைகிறது; Vgs Vtக்குக் கீழே விழும்போது, கடத்தும் சேனல் மறைந்துவிடும் மற்றும் MOSFET கட்-ஆஃப் நிலையில் இருக்கும். மற்ற மின்னோட்டம் அல்லது மின்னழுத்த அளவுருக்களை நம்பாமல் MOSFET இன் இயக்க நிலையை கேட் மின்னழுத்தம் சுயாதீனமாகவும் துல்லியமாகவும் கட்டுப்படுத்த முடியும் என்பதால் இந்தக் கட்டுப்பாடு முழுமையாகக் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது.
இதற்கு நேர்மாறாக, அரை-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனங்களின் இயக்க நிலை (எ.கா., தைரிஸ்டர்கள்) கட்டுப்பாட்டு மின்னழுத்தம் அல்லது மின்னோட்டத்தால் பாதிக்கப்படுவது மட்டுமல்லாமல், பிற காரணிகளாலும் (எ.கா., அனோட் மின்னழுத்தம், மின்னோட்டம் போன்றவை) பாதிக்கப்படுகிறது. இதன் விளைவாக, முழுமையாகக் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனங்கள் (எ.கா., MOSFETகள்) பொதுவாக கட்டுப்பாட்டுத் துல்லியம் மற்றும் நெகிழ்வுத்தன்மையின் அடிப்படையில் சிறந்த செயல்திறனை வழங்குகின்றன.
சுருக்கமாக, MOSFETகள் முழுமையாகக் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனங்களாகும், அதன் இயக்க நிலை முற்றிலும் கேட் மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் அதிக துல்லியம், அதிக நெகிழ்வுத்தன்மை மற்றும் குறைந்த மின் நுகர்வு ஆகியவற்றின் நன்மைகள் உள்ளன.
இடுகை நேரம்: செப்-20-2024
