MOSFET (மெட்டல்-ஆக்சைடு-செமிகண்டக்டர் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்) இன் கேட் கொள்ளளவு மற்றும் ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் போன்ற அளவுருக்கள் அதன் செயல்திறனை மதிப்பிடுவதற்கான முக்கியமான குறிகாட்டிகளாகும். இந்த அளவுருக்கள் பற்றிய விரிவான விளக்கம் பின்வருமாறு:
I. கேட் கொள்ளளவு
கேட் கொள்ளளவு முக்கியமாக உள்ளீடு கொள்ளளவு (Ciss), அவுட்புட் கொள்ளளவு (காஸ்) மற்றும் தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (Crss, இது மில்லர் கொள்ளளவு என்றும் அழைக்கப்படுகிறது) ஆகியவை அடங்கும்.
உள்ளீடு கொள்ளளவு (Ciss):
வரையறை: உள்ளீடு கொள்ளளவு என்பது கேட் மற்றும் சோர்ஸ் மற்றும் வடிகால் ஆகியவற்றுக்கு இடையே உள்ள மொத்த கொள்ளளவு ஆகும், மேலும் கேட் சோர்ஸ் கொள்ளளவு (Cgs) மற்றும் கேட் வடிகால் கொள்ளளவு (Cgd) இணையாக இணைக்கப்பட்டுள்ளது, அதாவது Ciss = Cgs + Cgd.
செயல்பாடு: உள்ளீட்டு கொள்ளளவு MOSFET இன் மாறுதல் வேகத்தை பாதிக்கிறது. உள்ளீட்டு கொள்ளளவு ஒரு வாசல் மின்னழுத்தத்திற்கு சார்ஜ் செய்யப்படும்போது, சாதனத்தை இயக்கலாம்; ஒரு குறிப்பிட்ட மதிப்புக்கு டிஸ்சார்ஜ் செய்யப்பட்டால், சாதனம் அணைக்கப்படலாம். எனவே, டிரைவிங் சர்க்யூட் மற்றும் சிஸ் ஆகியவை சாதனத்தின் டர்ன்-ஆன் மற்றும் டர்ன்-ஆஃப் தாமதத்தில் நேரடி தாக்கத்தை ஏற்படுத்துகின்றன.
வெளியீட்டு கொள்ளளவு (காஸ்):
வரையறை: வெளியீட்டு கொள்ளளவு என்பது வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையே உள்ள மொத்த கொள்ளளவு ஆகும், மேலும் வடிகால்-மூல கொள்ளளவு (Cds) மற்றும் கேட்-டிரைன் கொள்ளளவு (Cgd) இணையாக, அதாவது Coss = Cds + Cgd.
பங்கு: சாஃப்ட்-ஸ்விட்ச்சிங் அப்ளிகேஷன்களில், காஸ் மிகவும் முக்கியமானது, ஏனெனில் இது சர்க்யூட்டில் அதிர்வை ஏற்படுத்தக்கூடும்.
தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (Crss):
வரையறை: தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு கேட் வடிகால் கொள்ளளவு (Cgd) க்கு சமம் மற்றும் பெரும்பாலும் மில்லர் கொள்ளளவு என குறிப்பிடப்படுகிறது.
பங்கு: தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு என்பது சுவிட்சின் எழுச்சி மற்றும் வீழ்ச்சி நேரங்களுக்கான ஒரு முக்கியமான அளவுருவாகும், மேலும் இது டர்ன்-ஆஃப் தாமத நேரத்தையும் பாதிக்கிறது. வடிகால்-மூல மின்னழுத்தம் அதிகரிக்கும் போது கொள்ளளவு மதிப்பு குறைகிறது.
II. எதிர்ப்புத் திறன் (Rds(on))
வரையறை: ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் என்பது குறிப்பிட்ட நிலைமைகளின் கீழ் (எ.கா. குறிப்பிட்ட கசிவு மின்னோட்டம், கேட் மின்னழுத்தம் மற்றும் வெப்பநிலை) MOSFET இன் மூல மற்றும் வடிகால் இடையே உள்ள எதிர்ப்பாகும்.
செல்வாக்கு செலுத்தும் காரணிகள்: ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் என்பது ஒரு நிலையான மதிப்பு அல்ல, அது வெப்பநிலையால் பாதிக்கப்படுகிறது, அதிக வெப்பநிலை, Rds(on) அதிகமாகும். கூடுதலாக, அதிக தாங்கும் மின்னழுத்தம், MOSFET இன் உள் அமைப்பு தடிமனாக இருப்பதால், அதனுடன் தொடர்புடைய ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் அதிகமாகும்.
முக்கியத்துவம்: ஸ்விட்ச் பவர் சப்ளை அல்லது டிரைவர் சர்க்யூட்டை வடிவமைக்கும் போது, MOSFET இன் எதிர்ப்பைக் கருத்தில் கொள்வது அவசியம், ஏனென்றால் MOSFET வழியாக பாயும் மின்னோட்டம் இந்த எதிர்ப்பின் மீது ஆற்றலைச் செலவழிக்கும், மேலும் நுகரப்படும் ஆற்றலின் இந்த பகுதி அழைக்கப்படுகிறது- எதிர்ப்பு இழப்பு. குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் கொண்ட MOSFET ஐத் தேர்ந்தெடுப்பது ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் இழப்பைக் குறைக்கும்.
மூன்றாவதாக, மற்ற முக்கியமான அளவுருக்கள்
கேட் கொள்ளளவு மற்றும் ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் தவிர, MOSFET சில முக்கியமான அளவுருக்களைக் கொண்டுள்ளது:
V(BR)DSS (வடிகால் மூல முறிவு மின்னழுத்தம்):வடிகால் மூல மின்னழுத்தம், இதில் வடிகால் வழியாக பாயும் மின்னோட்டம் ஒரு குறிப்பிட்ட வெப்பநிலையில் ஒரு குறிப்பிட்ட மதிப்பை அடையும் மற்றும் கேட் மூலத்தை சுருக்கியது. இந்த மதிப்புக்கு மேல், குழாய் சேதமடையலாம்.
VGS(th) (த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தம்):மூல மற்றும் வடிகால் இடையே ஒரு கடத்தும் சேனலை உருவாக்கத் தொடங்குவதற்கு கேட் மின்னழுத்தம் தேவைப்படுகிறது. நிலையான N-channel MOSFETகளுக்கு, VT 3 முதல் 6V வரை இருக்கும்.
ஐடி (அதிகபட்ச தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம்):அதிகபட்சமாக மதிப்பிடப்பட்ட சந்திப்பு வெப்பநிலையில் சிப் மூலம் அனுமதிக்கப்படும் அதிகபட்ச தொடர்ச்சியான DC மின்னோட்டம்.
IDM (அதிகபட்ச துடிப்புள்ள வடிகால் மின்னோட்டம்):சாதனம் கையாளக்கூடிய துடிப்புள்ள மின்னோட்டத்தின் அளவைப் பிரதிபலிக்கிறது, துடிப்பு மின்னோட்டம் தொடர்ச்சியான DC மின்னோட்டத்தை விட அதிகமாக உள்ளது.
PD (அதிகபட்ச சக்தி சிதறல்):சாதனம் அதிகபட்ச மின் நுகர்வு குறைக்க முடியும்.
சுருக்கமாக, MOSFET இன் கேட் கொள்ளளவு, ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மற்றும் பிற அளவுருக்கள் அதன் செயல்திறன் மற்றும் பயன்பாட்டிற்கு முக்கியமானவை, மேலும் குறிப்பிட்ட பயன்பாட்டு காட்சிகள் மற்றும் தேவைகளுக்கு ஏற்ப தேர்ந்தெடுக்கப்பட்டு வடிவமைக்கப்பட வேண்டும்.
இடுகை நேரம்: செப்-18-2024