N-channel MOSFET என்றால் என்ன தெரியுமா?

I. அடிப்படை கட்டமைப்பு மற்றும் கலவை

ஒரு N-சேனல் MOSFET பின்வரும் முக்கிய கூறுகளைக் கொண்டுள்ளது:

வாயில்:கட்டுப்பாட்டு முனையம், மூல மற்றும் வடிகால் இடையே கடத்தும் சேனலை கட்டுப்படுத்த கேட் மின்னழுத்தத்தை மாற்றுவதன் மூலம்.· ·

 

ஆதாரம்:தற்போதைய வெளியேற்றம், வழக்கமாக சுற்றுக்கு எதிர்மறையான பக்கத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது.· ·

 

வடிகால்: மின்னோட்ட உட்செலுத்துதல், வழக்கமாக சுற்று சுமையுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது.

அடி மூலக்கூறு:பொதுவாக P-வகை குறைக்கடத்தி பொருள், MOSFETகளுக்கு அடி மூலக்கூறாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

இன்சுலேட்டர்：கேட் மற்றும் சேனலுக்கு இடையில் அமைந்துள்ள இது பொதுவாக சிலிக்கான் டை ஆக்சைடால் (SiO2) ஆனது மற்றும் ஒரு மின்கடத்தியாக செயல்படுகிறது.

II. செயல்பாட்டின் கொள்கை

N-channel MOSFET இன் செயல்பாட்டுக் கொள்கையானது மின்சார புல விளைவை அடிப்படையாகக் கொண்டது, இது பின்வருமாறு தொடர்கிறது:

வெட்டு நிலை:கேட் மின்னழுத்தம் (Vgs) த்ரெஷோல்ட் மின்னழுத்தத்தை (Vt) விடக் குறைவாக இருக்கும்போது, ​​வாயிலுக்குக் கீழே உள்ள P-வகை அடி மூலக்கூறில் N-வகை கடத்தும் சேனல் உருவாகாது, எனவே மூலத்திற்கும் வடிகால்க்கும் இடையில் வெட்டு நிலை உள்ளது. மற்றும் மின்னோட்டம் பாய முடியாது.

கடத்துத்திறன் நிலை:வாயில் மின்னழுத்தம் (Vgs) வாசல் மின்னழுத்தத்தை (Vt) விட அதிகமாக இருக்கும்போது, ​​வாயிலுக்கு கீழே உள்ள P-வகை அடி மூலக்கூறில் உள்ள துளைகள் விரட்டப்பட்டு, ஒரு குறைப்பு அடுக்கை உருவாக்குகிறது. கேட் மின்னழுத்தத்தில் மேலும் அதிகரிப்புடன், எலக்ட்ரான்கள் பி-வகை அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் ஈர்க்கப்பட்டு, என்-வகை கடத்தும் சேனலை உருவாக்குகின்றன. இந்த கட்டத்தில், மூலத்திற்கும் வடிகால் மற்றும் மின்னோட்டம் பாயும் இடையே ஒரு பாதை உருவாகிறது.

III. வகைகள் மற்றும் பண்புகள்

N-channel MOSFETகளை அவற்றின் குணாதிசயங்களின்படி பல்வேறு வகைகளாக வகைப்படுத்தலாம், அதாவது மேம்படுத்தல்-முறை மற்றும் குறைப்பு-முறை. அவற்றில், கேட் மின்னழுத்தம் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும்போது, ​​மேம்படுத்தல்-முறை MOSFETகள் கட்-ஆஃப் நிலையில் இருக்கும், மேலும் நடத்துவதற்கு நேர்மறை கேட் மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்த வேண்டும்; கேட் மின்னழுத்தம் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும் போது டிப்ளெஷன்-மோட் MOSFETகள் ஏற்கனவே கடத்தும் நிலையில் இருக்கும்.

N-channel MOSFETகள் பல சிறந்த பண்புகளைக் கொண்டுள்ளன:

உயர் உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு:MOSFET இன் வாயில் மற்றும் சேனல் ஒரு இன்சுலேடிங் லேயரால் தனிமைப்படுத்தப்படுகின்றன, இதன் விளைவாக மிக அதிக உள்ளீடு மின்மறுப்பு ஏற்படுகிறது.

குறைந்த சத்தம்:MOSFET களின் செயல்பாடு சிறுபான்மை கேரியர்களின் ஊசி மற்றும் கலவையை உள்ளடக்காததால், சத்தம் குறைவாக உள்ளது.

குறைந்த மின் நுகர்வு: MOSFETகள் ஆன் மற்றும் ஆஃப் மாநிலங்களில் குறைந்த மின் நுகர்வு கொண்டவை.

அதிவேக மாறுதல் பண்புகள்:MOSFET கள் அதிவேக மாறுதல் வேகம் மற்றும் உயர் அதிர்வெண் சுற்றுகள் மற்றும் அதிவேக டிஜிட்டல் சுற்றுகளுக்கு ஏற்றது.

IV. விண்ணப்பப் பகுதிகள்

N-channel MOSFETகள் அவற்றின் சிறந்த செயல்திறன் காரணமாக பல்வேறு மின்னணு சாதனங்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன:

டிஜிட்டல் சுற்றுகள்:லாஜிக் கேட் சர்க்யூட்களின் அடிப்படை அங்கமாக, இது டிஜிட்டல் சிக்னல்களின் செயலாக்கம் மற்றும் கட்டுப்பாட்டை செயல்படுத்துகிறது.

அனலாக் சுற்றுகள்:பெருக்கிகள் மற்றும் வடிகட்டிகள் போன்ற அனலாக் சுற்றுகளில் முக்கிய அங்கமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ்:பவர் சப்ளைகள் மற்றும் மோட்டார் டிரைவ்களை மாற்றுதல் போன்ற பவர் எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களைக் கட்டுப்படுத்தப் பயன்படுகிறது.

மற்ற பகுதிகள்:எல்.ஈ.டி விளக்குகள், வாகன மின்னணுவியல், வயர்லெஸ் தகவல் தொடர்பு மற்றும் பிற துறைகளும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.

சுருக்கமாக, N-channel MOSFET, ஒரு முக்கியமான குறைக்கடத்தி சாதனமாக, நவீன மின்னணு தொழில்நுட்பத்தில் ஈடுசெய்ய முடியாத பங்கை வகிக்கிறது.