MOSFET, மெட்டல்-ஆக்சைடு-செமிகண்டக்டர் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர் என அறியப்படுகிறது, இது ஒரு வகை ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டருக்கு (FET) சொந்தமான பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் மின்னணு சாதனமாகும்.ஒரு MOSFETஒரு உலோக வாயில், ஒரு ஆக்சைடு இன்சுலேடிங் லேயர் (பொதுவாக சிலிக்கான் டை ஆக்சைடு SiO₂) மற்றும் ஒரு குறைக்கடத்தி அடுக்கு (பொதுவாக சிலிக்கான் Si) ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளது. செயல்பாட்டின் கொள்கையானது, மேற்பரப்பில் அல்லது குறைக்கடத்தியின் உள்ளே உள்ள மின்சார புலத்தை மாற்றுவதற்கு கேட் மின்னழுத்தத்தை கட்டுப்படுத்துவதாகும், இதனால் மூலத்திற்கும் வடிகால்க்கும் இடையில் மின்னோட்டத்தை கட்டுப்படுத்துகிறது.
MOSFETகள்இரண்டு முக்கிய வகைகளாக வகைப்படுத்தலாம்: N-channelMOSFETகள்(NMOS) மற்றும் பி-சேனல்MOSFETகள்(PMOS). NMOS இல், கேட் மின்னழுத்தம் மூலத்தைப் பொறுத்து நேர்மறையாக இருக்கும்போது, n-வகை நடத்தும் சேனல்கள் குறைக்கடத்தி மேற்பரப்பில் உருவாகின்றன, இது மூலத்திலிருந்து வடிகால் வரை எலக்ட்ரான்கள் பாய அனுமதிக்கிறது. PMOS இல், கேட் மின்னழுத்தம் மூலத்தைப் பொறுத்து எதிர்மறையாக இருக்கும்போது, குறைக்கடத்தி மேற்பரப்பில் p-வகை நடத்தும் சேனல்கள் உருவாகின்றன, இது மூலத்திலிருந்து வடிகால் வரை ஓட்டைகளை அனுமதிக்கிறது.
MOSFETகள்அதிக உள்ளீடு மின்மறுப்பு, குறைந்த சத்தம், குறைந்த மின் நுகர்வு மற்றும் ஒருங்கிணைப்பின் எளிமை போன்ற பல நன்மைகள் உள்ளன, எனவே அவை அனலாக் சுற்றுகள், டிஜிட்டல் சுற்றுகள், ஆற்றல் மேலாண்மை, மின் மின்னணுவியல், தகவல் தொடர்பு அமைப்புகள் மற்றும் பிற துறைகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளில்,MOSFETகள்CMOS (காம்ப்ளிமெண்டரி மெட்டல் ஆக்சைடு செமிகண்டக்டர்) லாஜிக் சர்க்யூட்களை உருவாக்கும் அடிப்படை அலகுகளாகும். CMOS சுற்றுகள் NMOS மற்றும் PMOS இன் நன்மைகளை ஒருங்கிணைத்து, குறைந்த மின் நுகர்வு, அதிக வேகம் மற்றும் அதிக ஒருங்கிணைப்பு ஆகியவற்றால் வகைப்படுத்தப்படுகின்றன.
கூடுதலாக,MOSFETகள்அவற்றின் நடத்தும் சேனல்கள் முன்பே உருவாக்கப்பட்டதா என்பதைப் பொறுத்து மேம்படுத்தல்-வகை மற்றும் குறைப்பு-வகை என வகைப்படுத்தலாம். மேம்படுத்தல் வகைMOSFETகேட் மின்னழுத்தத்தில் சேனல் கடத்துத்திறன் இல்லாதபோது பூஜ்ஜியமாக இருக்கும், கடத்தும் சேனலை உருவாக்க ஒரு குறிப்பிட்ட கேட் மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்த வேண்டும்; போது குறைதல் வகைMOSFETசேனல் ஏற்கனவே கடத்தும் போது கேட் மின்னழுத்தத்தில் பூஜ்ஜியமாக இருக்கும், சேனலின் கடத்துத்திறனைக் கட்டுப்படுத்த கேட் மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
சுருக்கமாக,MOSFETஒரு உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி கட்டமைப்பை அடிப்படையாகக் கொண்ட ஒரு புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர் ஆகும், இது கேட் மின்னழுத்தத்தைக் கட்டுப்படுத்துவதன் மூலம் மூலத்திற்கும் வடிகலுக்கும் இடையிலான மின்னோட்டத்தை ஒழுங்குபடுத்துகிறது, மேலும் பரந்த அளவிலான பயன்பாடுகள் மற்றும் முக்கியமான தொழில்நுட்ப மதிப்பைக் கொண்டுள்ளது.
இடுகை நேரம்: செப்-12-2024
