MOSFET ஆன்டி-ரிவர்ஸ் சர்க்யூட்

முதலில், MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்றுக்கான அடிப்படைக் கொள்கை

MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்று, MOSFET இன் மாறுதல் பண்புகளைப் பயன்படுத்தி, கேட் (G) மின்னழுத்தத்தைக் கட்டுப்படுத்துவதன் மூலம், சர்க்யூட்டை ஆன் மற்றும் ஆஃப் செய்ய முடியும். மின்சாரம் வழங்கல் துருவமுனைப்பு சரியாக இருக்கும்போது, ​​கேட் மின்னழுத்தம் MOSFET ஐ கடத்தும் நிலையில் உருவாக்குகிறது, மின்னோட்டம் சாதாரணமாக பாயலாம்; மின்வழங்கல் துருவமுனைப்பு தலைகீழாக மாறும்போது, ​​கேட் மின்னழுத்தம் MOSFET கடத்தலைச் செய்ய முடியாது, இதனால் சுற்று துண்டிக்கப்படுகிறது.

இரண்டாவதாக, MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்றுக்கான குறிப்பிட்ட உணர்தல்

1. N-channel MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்று

N-channel MOSFETகள் பொதுவாக எதிர்-தலைகீழ் சுற்றுகளை உணர பயன்படுத்தப்படுகின்றன. சர்க்யூட்டில், N- சேனல் MOSFET இன் மூல (S) சுமையின் எதிர்மறை முனையத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, வடிகால் (D) மின்சார விநியோகத்தின் நேர்மறை முனையத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் கேட் (G) இணைக்கப்பட்டுள்ளது மின்தடை மூலம் அல்லது கட்டுப்பாட்டு சுற்று மூலம் கட்டுப்படுத்தப்படும் மின்சார விநியோகத்தின் எதிர்மறை முனையம்.

முன்னோக்கி இணைப்பு: மின் விநியோகத்தின் நேர்மறை முனையம் D உடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, மற்றும் எதிர்மறை முனையம் S உடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த நேரத்தில், மின்தடையானது MOSFET க்கான கேட் சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தை (VGS) வழங்குகிறது, மேலும் VGS வாசலை விட அதிகமாக இருக்கும் போது MOSFET இன் மின்னழுத்தம் (Vth), MOSFET நடத்துகிறது, மேலும் மின்னோட்டத்தின் நேர்மறை முனையத்திலிருந்து MOSFET மூலம் சுமைக்கு மின்னோட்டம் பாய்கிறது.

தலைகீழாக மாறும்போது: மின்வழங்கலின் நேர்மறை முனையம் S உடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, மற்றும் எதிர்மறை முனையம் D உடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த நேரத்தில், MOSFET ஒரு வெட்டு நிலையில் உள்ளது மற்றும் கேட் மின்னழுத்தம் காரணமாக சுமையை சேதத்திலிருந்து பாதுகாக்க சுற்று துண்டிக்கப்பட்டது. MOSFET நடத்துவதற்கு போதுமான VGS ஐ உருவாக்க முடியவில்லை (VGS 0 க்கும் குறைவாக இருக்கலாம் அல்லது Vth ஐ விட மிகக் குறைவாக இருக்கலாம்).

2. துணைக் கூறுகளின் பங்கு

மின்தடை: MOSFETக்கு கேட் சோர்ஸ் மின்னழுத்தத்தை வழங்கவும், கேட் ஓவர் கரண்ட் சேதத்தைத் தடுக்க கேட் மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்தவும் பயன்படுகிறது.

மின்னழுத்த சீராக்கி: கேட் சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் மிக அதிகமாக இருப்பதையும், MOSFET ஐ உடைப்பதையும் தடுக்கப் பயன்படும் ஒரு விருப்பக் கூறு.

ஒட்டுண்ணி டையோடு: ஒரு ஒட்டுண்ணி டையோடு (உடல் டையோடு) MOSFET க்குள் உள்ளது, ஆனால் அதன் விளைவு பொதுவாக எதிர்-தலைகீழ் சுற்றுகளில் அதன் தீங்கு விளைவிக்கும் விளைவைத் தவிர்க்க சுற்று வடிவமைப்பால் புறக்கணிக்கப்படுகிறது அல்லது தவிர்க்கப்படுகிறது.

மூன்றாவதாக, MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்றுகளின் நன்மைகள்

குறைந்த இழப்பு: MOSFET ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் சிறியது, ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மின்னழுத்தம் குறைக்கப்படுகிறது, எனவே சுற்று இழப்பு சிறியது.

உயர் நம்பகத்தன்மை: எதிர்-தலைகீழ் செயல்பாட்டை ஒரு எளிய சுற்று வடிவமைப்பு மூலம் உணர முடியும், மேலும் MOSFET தானே அதிக நம்பகத்தன்மையைக் கொண்டுள்ளது.

நெகிழ்வுத்தன்மை: வெவ்வேறு பயன்பாட்டுத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வெவ்வேறு MOSFET மாதிரிகள் மற்றும் சுற்று வடிவமைப்புகளைத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்.

தற்காப்பு நடவடிக்கைகள்

MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்று வடிவமைப்பில், மின்னழுத்தம், மின்னோட்டம், மாறுதல் வேகம் மற்றும் பிற அளவுருக்கள் உள்ளிட்ட பயன்பாட்டுத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய MOSFETகளைத் தேர்ந்தெடுப்பதை நீங்கள் உறுதி செய்ய வேண்டும்.

சுற்று செயல்திறனில் பாதகமான விளைவுகளைத் தவிர்ப்பதற்காக, ஒட்டுண்ணி கொள்ளளவு, ஒட்டுண்ணி இண்டக்டன்ஸ் போன்ற சுற்றுவட்டத்தில் உள்ள பிற கூறுகளின் செல்வாக்கைக் கருத்தில் கொள்வது அவசியம்.

நடைமுறை பயன்பாடுகளில், சுற்று நிலைத்தன்மை மற்றும் நம்பகத்தன்மையை உறுதிப்படுத்த போதுமான சோதனை மற்றும் சரிபார்ப்பு தேவைப்படுகிறது.

சுருக்கமாக, MOSFET எதிர்-தலைகீழ் சுற்று என்பது ஒரு எளிய, நம்பகமான மற்றும் குறைந்த இழப்பு மின்சாரம் வழங்கல் பாதுகாப்புத் திட்டமாகும், இது தலைகீழ் மின் துருவமுனைப்பைத் தடுக்கும் பல்வேறு பயன்பாடுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.