MOSFET தோல்விக்கான காரணங்கள் மற்றும் தடுப்பு

கேட் மின்னழுத்த தோல்வி

அசாதாரணமான உயர் கட்ட மின்னழுத்தங்களுக்கு மூன்று முக்கிய காரணங்கள் உள்ளன: உற்பத்தி, போக்குவரத்து மற்றும் அசெம்பிளியின் போது நிலையான மின்சாரம்; மின் அமைப்பு செயல்பாட்டின் போது உபகரணங்கள் மற்றும் சுற்றுகளின் ஒட்டுண்ணி அளவுருக்கள் மூலம் உருவாக்கப்பட்ட உயர் மின்னழுத்த அதிர்வு; மற்றும் உயர் மின்னழுத்த அதிர்ச்சிகளின் போது Ggd வழியாக உயர் மின்னழுத்தத்தை கட்டத்திற்கு அனுப்புதல் (மின்னல் தாக்க சோதனையின் போது மிகவும் பொதுவான தவறு).

கேட் மின்னழுத்த பிழைகளைத் தடுப்பதற்கான நடவடிக்கைகள்:

கேட் மற்றும் சோர்ஸ் இடையே அதிக மின்னழுத்த பாதுகாப்பு: கேட் மற்றும் சோர்ஸ் இடையே மின்மறுப்பு மிக அதிகமாக இருக்கும் போது, ​​கேட் மற்றும் சோர்ஸ் இடையே மின்னழுத்தத்தில் ஏற்படும் திடீர் மாற்றம், மின்முனைகளுக்கு இடையே உள்ள கொள்ளளவு மூலம் கேட்டுடன் இணைக்கப்படுகிறது, இதன் விளைவாக மிக அதிக UGS மின்னழுத்தம் அதிகமாக ஒழுங்குபடுத்தப்படுகிறது. வாயிலின் அதிகப்படியான ஒழுங்குமுறைக்கு வழிவகுக்கிறது. நிரந்தர ஆக்ஸிஜனேற்ற சேதம். UGS நேர்மறை நிலையற்ற மின்னழுத்தத்தில் இருந்தால், சாதனம் பிழைகளையும் ஏற்படுத்தலாம். இந்த அடிப்படையில், கேட் டிரைவ் சர்க்யூட்டின் மின்மறுப்பு சரியான முறையில் குறைக்கப்பட வேண்டும் மற்றும் கேட் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையில் ஒரு தணிக்கும் மின்தடையம் அல்லது 20V நிலைப்படுத்தும் மின்னழுத்தம் இணைக்கப்பட வேண்டும். திறந்த கதவு செயல்படுவதைத் தடுக்க குறிப்பாக கவனமாக இருக்க வேண்டும்.

டிஸ்சார்ஜ் குழாய்களுக்கு இடையே அதிக மின்னழுத்த பாதுகாப்பு: மின்சுற்றில் மின்னழுத்தம் இருந்தால், யூனிட் அணைக்கப்படும் போது கசிவு மின்னோட்டத்தில் (di/dt) திடீரென ஏற்படும் மாற்றங்கள் விநியோக மின்னழுத்தத்தை விட அதிகமாக கசிவு மின்னழுத்தம் அதிகமாகி, அலகுக்கு சேதத்தை ஏற்படுத்தும். பாதுகாப்பில் ஜீனர் கிளாம்ப், ஆர்சி கிளாம்ப் அல்லது ஆர்சி சப்ரஷன் சர்க்யூட் இருக்க வேண்டும்.