அடிப்படை MOSFET அடையாளம் மற்றும் சோதனை

1.ஜங்ஷன் MOSFET முள் அடையாளம்

வாயில்MOSFET டிரான்சிஸ்டரின் அடிப்படை, மற்றும் வடிகால் மற்றும் மூலமானது சேகரிப்பான் மற்றும் உமிழ்ப்பான் ஆகும்தொடர்புடைய டிரான்சிஸ்டர். மல்டிமீட்டர் முதல் R × 1k கியர் வரை, இரண்டு பின்களுக்கு இடையே முன்னோக்கி மற்றும் தலைகீழ் எதிர்ப்பை அளவிட இரண்டு பேனாக்கள். டூ-பின் ஃபார்வர்ட் ரெசிஸ்டன்ஸ் = ரிவர்ஸ் ரெசிஸ்டன்ஸ் = KΩ, அதாவது, மூல S மற்றும் வடிகால் Dக்கான இரண்டு பின்கள், மீதமுள்ள பின் கேட் G ஆகும். அது 4-பின் என்றால்சந்திப்பு MOSFET, மற்ற துருவமானது தரையிறக்கப்பட்ட கவசத்தைப் பயன்படுத்துவதாகும்.

அடிப்படை MOSFET அடையாளம் மற்றும் சோதனை 拷贝

2.வாயிலை தீர்மானிக்கவும்　

மல்டிமீட்டரின் கருப்பு பேனாவுடன் MOSFET ஐத் தொட ஒரு சீரற்ற மின்முனை, சிவப்பு பேனா மற்ற இரண்டு மின்முனைகளைத் தொடும். அளவிடப்பட்ட இரண்டும் சிறியதாக இருந்தால், இரண்டும் நேர்மறை எதிர்ப்பைக் குறிக்கும், குழாய் N-சேனல் MOSFET க்கு சொந்தமானது, அதே கருப்பு பேனா தொடர்பு கேட் ஆகும்.

MOSFET இன் வடிகால் மற்றும் மூலமானது சமச்சீரானது என்றும், அவை ஒன்றோடொன்று பரிமாறிக்கொள்ளலாம் என்றும், சுற்றுப் பயன்பாட்டைப் பாதிக்காது என்றும் உற்பத்தி செயல்முறை முடிவு செய்துள்ளது, இந்த நேரத்தில் சுற்றும் சாதாரணமாக உள்ளது, எனவே செல்ல வேண்டிய அவசியமில்லை. அதிகப்படியான வேறுபாடு. வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையே உள்ள எதிர்ப்பானது சில ஆயிரம் ஓம்கள் ஆகும். MOSFET இன்சுலேட்டட் கேட் வகையின் வாயிலைத் தீர்மானிக்க இந்த முறையைப் பயன்படுத்த முடியாது. இந்த MOSFET இன் உள்ளீட்டின் எதிர்ப்பானது மிக அதிகமாக இருப்பதாலும், கேட் மற்றும் சோர்ஸ் இடையே உள்ள துருவ மின்தேவை மிகவும் சிறியதாக இருப்பதாலும், சிறிய அளவிலான சார்ஜ் அளவீட்டை, இடை-துருவத்தின் மேல் உருவாக்க முடியும். மிக அதிக மின்னழுத்தத்தின் கொள்ளளவு, MOSFET சேதமடைய மிகவும் எளிதாக இருக்கும்.

அடிப்படை MOSFET அடையாளம் மற்றும் சோதனை(1)

3. MOSFET களின் பெருக்கத் திறனை மதிப்பிடுதல்

மல்டிமீட்டர் R × 100 க்கு அமைக்கப்படும் போது, மூல S ஐ இணைக்க சிவப்பு பேனாவைப் பயன்படுத்தவும், மேலும் D யை இணைக்க கருப்பு பேனாவைப் பயன்படுத்தவும், இது MOSFET இல் 1.5V மின்னழுத்தத்தைச் சேர்ப்பது போன்றது. இந்த நேரத்தில் ஊசி DS துருவத்திற்கு இடையே உள்ள எதிர்ப்பு மதிப்பைக் குறிக்கிறது. இந்த நேரத்தில் ஒரு விரலால் கேட் ஜியை கிள்ளுங்கள், உடலின் தூண்டப்பட்ட மின்னழுத்தம் வாயிலுக்கு உள்ளீட்டு சமிக்ஞையாக இருக்கும். MOSFET பெருக்கத்தின் பங்கு காரணமாக, ID மற்றும் UDS மாறும், அதாவது DS துருவத்திற்கு இடையே உள்ள எதிர்ப்பு மாறிவிட்டது, ஊசியில் ஒரு பெரிய ஊஞ்சல் வீச்சு இருப்பதை நாம் அவதானிக்கலாம். கையால் வாயிலைக் கிள்ளினால், ஊசியின் ஊஞ்சல் மிகவும் சிறியதாக இருக்கும், அதாவது MOSFET பெருக்க திறன் ஒப்பீட்டளவில் பலவீனமாக உள்ளது; ஊசிக்கு சிறிதளவு நடவடிக்கை இல்லை என்றால், MOSFET சேதமடைந்திருப்பதைக் குறிக்கிறது.