விரிவாக்கம் மற்றும் குறைப்பு MOSFET களை பகுப்பாய்வு செய்தல்

D-FET 0 கேட் பயாஸில் இருக்கும் போது, ​​சேனல் இருக்கும் போது, ​​FET ஐ நடத்த முடியும்; E-FET 0 கேட் பயாஸில் சேனல் இல்லாத போது FET ஐ நடத்த முடியாது. இந்த இரண்டு வகையான FET களும் அவற்றின் சொந்த பண்புகள் மற்றும் பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளன. பொதுவாக, அதிவேக, குறைந்த சக்தி சுற்றுகளில் மேம்படுத்தப்பட்ட FET மிகவும் மதிப்புமிக்கது; இந்த சாதனம் வேலை செய்கிறது, இது கேட் பயாஸ் வோவின் துருவமுனைப்பாகும்ltage மற்றும் வடிகால் அதே மின்னழுத்தம், இது சுற்று வடிவமைப்பில் மிகவும் வசதியானது.

மேம்படுத்தப்பட்ட வழிமுறைகள் என அழைக்கப்படுவது: VGS = 0 குழாய் ஒரு கட்-ஆஃப் நிலை, மேலும் சரியான VGS ஆகும் போது, ​​பெரும்பாலான கேரியர்கள் கேட் மீது ஈர்க்கப்படுகின்றன, இதனால் பிராந்தியத்தில் உள்ள கேரியர்களை "மேம்படுத்துகிறது", இது ஒரு கடத்தும் சேனலை உருவாக்குகிறது. n-channel மேம்படுத்தப்பட்ட MOSFET என்பது அடிப்படையில் ஒரு இடது-வலது சமச்சீர் இடவியல் ஆகும், இது SiO2 ஃபிலிம் இன்சுலேஷனின் ஒரு அடுக்கின் தலைமுறையில் P-வகை குறைக்கடத்தி ஆகும். இது P-வகை செமிகண்டக்டரில் SiO2 ஃபிலிமின் இன்சுலேடிங் லேயரை உருவாக்குகிறது, பின்னர் இரண்டு அதிக அளவு N-வகை பகுதிகளை பரப்புகிறது.போட்டோலித்தோகிராபி, மற்றும் N-வகைப் பகுதியிலிருந்து மின்முனைகள், வடிகால் Dக்கு ஒன்று மற்றும் S மூலத்திற்கு ஒன்று. அலுமினியம் உலோகத்தின் ஒரு அடுக்கு, மூலத்திற்கும் வடிகலுக்கும் இடையே உள்ள இன்சுலேடிங் லேயரில் கேட் G ஆக பூசப்பட்டுள்ளது. VGS = 0 V , வடிகால் மற்றும் மூலத்திற்கு இடையில் பல டையோட்கள் உள்ளன மற்றும் D மற்றும் S இடையே உள்ள மின்னழுத்தம் D மற்றும் S இடையே மின்னோட்டத்தை உருவாக்காது. D மற்றும் S இடையே உள்ள மின்னோட்டம் பயன்படுத்தப்படும் மின்னழுத்தத்தால் உருவாகவில்லை.

கேட் மின்னழுத்தம் சேர்க்கப்படும் போது, ​​0 < VGS < VGS(th), கேட் மற்றும் அடி மூலக்கூறுக்கு இடையில் உருவாகும் கொள்ளளவு மின்சார புலம் வழியாக, வாயிலின் அடிப்பகுதியில் உள்ள P-வகை குறைக்கடத்தியில் உள்ள பாலியன் துளைகள் கீழ்நோக்கி விரட்டப்படுகின்றன, மேலும் எதிர்மறை அயனிகளின் மெல்லிய குறைப்பு அடுக்கு தோன்றுகிறது; அதே நேரத்தில், அது மேற்பரப்பு அடுக்குக்கு நகர்த்துவதற்கு அதிலுள்ள ஒலிகோன்களை ஈர்க்கும், ஆனால் எண்ணிக்கை குறைவாக உள்ளது மற்றும் வடிகால் மற்றும் மூலத்தை தொடர்புபடுத்தும் ஒரு கடத்தும் சேனலை உருவாக்க போதுமானதாக இல்லை, எனவே வடிகால் தற்போதைய ஐடியை உருவாக்க இது இன்னும் போதுமானதாக இல்லை. மேலும் அதிகரிக்கும் VGS, போது VGS > VGS (th) (VGS (th) ஆனது டர்ன்-ஆன் மின்னழுத்தம் என்று அழைக்கப்படுகிறது, ஏனெனில் இந்த நேரத்தில் கேட் மின்னழுத்தம் ஒப்பீட்டளவில் வலுவாக உள்ளது, P-வகை குறைக்கடத்தி மேற்பரப்பு அடுக்கில் கீழே உள்ள கேட்டின் அடிப்பகுதிக்கு கீழே மேலும் சேகரிக்கப்படுகிறது. எலக்ட்ரான்கள், நீங்கள் ஒரு அகழி, வடிகால் மற்றும் தகவல்தொடர்பு மூலத்தை உருவாக்கலாம். இந்த நேரத்தில் வடிகால் மூல மின்னழுத்தம் சேர்க்கப்பட்டால், வடிகால் மின்னோட்டம் ஐடியை உருவாக்கலாம். வாயிலுக்குக் கீழே உருவாகும் கடத்தும் சேனலில் எலக்ட்ரான்கள், கேரியர் துளையின் காரணமாக பி-வகை செமிகண்டக்டர் துருவமுனைப்பு எதிர் உள்ளது, எனவே இது எதிர்ப்பு வகை அடுக்கு என்று அழைக்கப்படுகிறது. VGS அதிகரித்து வருவதால், ஐடி தொடர்ந்து அதிகரிக்கும். VGS = 0V இல் ஐடி = 0, மற்றும் வடிகால் மின்னோட்டம் VGS > VGS(th) க்குப் பிறகுதான் நிகழ்கிறது, எனவே, இந்த வகை MOSFET ஐ மேம்படுத்தல் MOSFET என்று அழைக்கப்படுகிறது.

வடிகால் மின்னோட்டத்தில் VGS இன் கட்டுப்பாட்டு உறவை வளைவு iD = f(VGS(th))|VDS=const, இது பரிமாற்ற பண்பு வளைவு என அழைக்கப்படுகிறது, மற்றும் பரிமாற்ற பண்பு வளைவின் சாய்வின் அளவு, gm, கேட் மூல மின்னழுத்தத்தால் வடிகால் மின்னோட்டத்தின் கட்டுப்பாட்டை பிரதிபலிக்கிறது. gm இன் அளவு mA/V, எனவே gm ஆனது கடத்தல் என்றும் அழைக்கப்படுகிறது.