MOSFET வெப்ப உற்பத்திக்கான முக்கிய காரணங்களின் பகுப்பாய்வு

N வகை, P வகை MOSFET சாரத்தின் செயல்பாட்டுக் கொள்கை ஒன்றுதான், MOSFET ஆனது வடிகால் மின்னோட்டத்தின் வெளியீட்டுப் பக்கத்தை வெற்றிகரமாகக் கட்டுப்படுத்த கேட் மின்னழுத்தத்தின் உள்ளீட்டுப் பக்கத்தில் முக்கியமாக சேர்க்கப்படுகிறது, MOSFET என்பது மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படும் சாதனம் ஆகும். சாதனத்தின் குணாதிசயங்களைக் கட்டுப்படுத்த, ட்ரையோட் போலல்லாமல், சார்ஜ் சேமிப்பக விளைவு காரணமாக ஏற்படும் அடிப்படை மின்னோட்டத்தின் காரணமாக, ஸ்விட்ச் பயன்பாடுகளில், MOSFET இன் இன் பயன்பாடுகளை மாற்றுதல்,MOSFET கள் மாறுதல் வேகம் ட்ரையோடை விட வேகமானது.

ஸ்விட்ச் பவர் சப்ளையில், பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் MOSFET திறந்த வடிகால் சுற்று, வடிகால் சுமையுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, திறந்த வடிகால், திறந்த வடிகால் சுற்று என்று அழைக்கப்படும், சுமை எவ்வளவு உயர் மின்னழுத்தத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, அதை இயக்கவும், அணைக்கவும் சுமை மின்னோட்டம், சிறந்த அனலாக் ஸ்விட்ச்சிங் சாதனம், இது ஸ்விட்ச் சாதனங்களைச் செய்வதற்கான MOSFET இன் கொள்கையாகும், மேலும் சுற்றுகளின் வடிவத்தில் மாறுவதற்கு MOSFET ஆகும்.

மின்சாரம் வழங்கல் பயன்பாடுகளை மாற்றுவதன் அடிப்படையில், இந்த பயன்பாடு தேவைப்படுகிறது MOSFETகள் அடிப்படை பக் கன்வெர்ட்டரில் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் DC-DC மின்சாரம் போன்றவற்றை அவ்வப்போது நடத்துவதற்கு, அணைப்பதற்கு இரண்டு MOSFET களை நம்பியிருக்கிறது. நூற்றுக்கணக்கான kHz அல்லது 1 MHz க்கும் அதிகமாக, முக்கியமாக அதிர்வெண் அதிகமாக இருப்பதால், காந்த கூறுகள் சிறியதாக இருக்கும். சாதாரண செயல்பாட்டின் போது, ​​MOSFET ஒரு கடத்திக்கு சமமானது, எடுத்துக்காட்டாக, உயர்-சக்தி MOSFETகள், சிறிய மின்னழுத்த MOSFETகள், சுற்றுகள், மின்சாரம் ஆகியவை MOS இன் குறைந்தபட்ச கடத்தல் இழப்பு ஆகும்.

MOSFET PDF அளவுருக்கள், MOSFET உற்பத்தியாளர்கள் RDS (ON) அளவுருவை ஆன்-ஸ்டேட் மின்மறுப்பை வரையறுக்க வெற்றிகரமாக ஏற்றுக்கொண்டனர், பயன்பாடுகளை மாற்றுவதற்கு, RDS (ON) என்பது மிக முக்கியமான சாதனப் பண்பு ஆகும்; தரவுத்தாள்கள் RDS (ON), கேட் (அல்லது இயக்கி) மின்னழுத்தம் VGS மற்றும் சுவிட்ச் வழியாக பாயும் மின்னோட்டம் தொடர்புடையது, போதுமான கேட் டிரைவிற்கு, RDS (ON) என்பது ஒப்பீட்டளவில் நிலையான அளவுரு ஆகும்; கடத்தலில் இருக்கும் MOSFET கள் வெப்ப உருவாக்கத்திற்கு ஆளாகின்றன, மேலும் மெதுவாக அதிகரிக்கும் சந்தி வெப்பநிலை RDS (ON) அதிகரிப்பிற்கு வழிவகுக்கும்;MOSFET தரவுத்தாள்கள் வெப்ப மின்மறுப்பு அளவுருவைக் குறிப்பிடுகின்றன, இது MOSFET தொகுப்பின் குறைக்கடத்தி சந்திப்பின் வெப்பத்தை சிதறடிக்கும் திறன் என வரையறுக்கப்படுகிறது, மேலும் RθJC என்பது சந்தி-க்கு-வழக்கு வெப்ப மின்மறுப்பு என வரையறுக்கப்படுகிறது.

1, அதிர்வெண் மிக அதிகமாக உள்ளது, சில சமயங்களில் ஒலியளவை அதிகமாகப் பின்தொடர்வது, நேரடியாக அதிக அதிர்வெண்ணுக்கு வழிவகுக்கும், இழப்பு அதிகரிக்கும் மீது MOSFET, அதிக வெப்பம், போதுமான வெப்பச் சிதறல் வடிவமைப்பு, அதிக மின்னோட்டம், பெயரளவு ஆகியவற்றைச் சிறப்பாகச் செய்ய வேண்டாம். MOSFET இன் தற்போதைய மதிப்பு, நல்ல வெப்பச் சிதறலின் தேவையை அடைய முடியும்; ஐடி அதிகபட்ச மின்னோட்டத்தை விட குறைவாக உள்ளது, தீவிர வெப்பமாக இருக்கலாம், போதுமான துணை ஹீட்ஸின்கள் தேவை.

2, MOSFET தேர்வு பிழைகள் மற்றும் சக்தி தீர்ப்பில் உள்ள பிழைகள், MOSFET இன் உள் எதிர்ப்பை முழுமையாகக் கருத்தில் கொள்ளவில்லை, MOSFET வெப்பமாக்கல் சிக்கல்களைக் கையாளும் போது, ​​நேரடியாக மாறுதல் மின்மறுப்பை அதிகரிக்க வழிவகுக்கும்.

3, சுற்று வடிவமைப்பு சிக்கல்கள் காரணமாக, வெப்பம் ஏற்படுகிறது, இதனால் MOSFET ஒரு நேரியல் இயக்க நிலையில் வேலை செய்கிறது, மாறுதல் நிலையில் இல்லை, இது MOSFET வெப்பமாக்கலுக்கு நேரடி காரணமாகும், எடுத்துக்காட்டாக, N-MOS டூ ஸ்விட்சிங், ஜி- நிலை மின்னழுத்தம் மின்சார விநியோகத்தை விட ஒரு சில V அதிகமாக இருக்க வேண்டும், முழு கடத்துத்திறனைப் பெற, P-MOS வேறுபட்டது; முழுமையாக திறக்கப்படாத நிலையில், மின்னழுத்த வீழ்ச்சி மிகவும் பெரியது, இது மின் நுகர்வுக்கு வழிவகுக்கும், அதற்கு சமமான DC மின்மறுப்பு பெரியது, மின்னழுத்த வீழ்ச்சியும் அதிகரிக்கும், U * I மேலும் அதிகரிக்கும், இழப்பு வெப்பத்திற்கு வழிவகுக்கும்.